на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4699.68 грн |
| 10+ | 4352.37 грн |
| 20+ | 3662.52 грн |
| 50+ | 3540.37 грн |
| 100+ | 3393.92 грн |
| 200+ | 3247.47 грн |
| 500+ | 3143.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VUM33-06PH IXYS
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 600V; 50A; V1-B-Pack; FASTON connectors, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: ±20V, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: V1-B-Pack, On-state resistance: 0.12Ω, Topology: boost chopper; single-phase diode bridge, Power dissipation: 500W, Gate charge: 165nC, Drain current: 50A, Drain-source voltage: 600V, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: FASTON connectors, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції VUM33-06PH за ціною від 3841.41 грн до 4388.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VUM33-06PH | Виробник : IXYS |
 Description: MODULE MOSFET BRIDGE RECT V1-BPackaging: Box Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Diode Type: Single Phase (PFC Module) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 106 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.39 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
VUM33-06PH Код товару: 193869 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||
| VUM33-06PH | Виробник : Littelfuse |
Bridge Rectifier Module for Power Factor Correction |
товар відсутній |
||||||||
 |
VUM33-06PH | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 600V; 50A; V1-B-Pack; FASTON connectors Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Case: V1-B-Pack On-state resistance: 0.12Ω Topology: boost chopper; single-phase diode bridge Power dissipation: 500W Gate charge: 165nC Drain current: 50A Drain-source voltage: 600V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
|
|
VUM33-06PH | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 600V; 50A; V1-B-Pack; FASTON connectors Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Case: V1-B-Pack On-state resistance: 0.12Ω Topology: boost chopper; single-phase diode bridge Power dissipation: 500W Gate charge: 165nC Drain current: 50A Drain-source voltage: 600V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors |
товар відсутній |